了解LED抗静电指标可预防静电击穿的现象

       LED 内部的PN结 在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试 、包装、储运及安装使用等环节,难免不受静电感 应影响而产生感应电荷。

　　若电荷得不到及时释放,将在两个电极上形成的较高电位差,当电荷能量达到LED的承受极限值(这个就是LED抗静电指标值啦),电荷将会在瞬间释放。

　　在极短的瞬间(纳秒级)对LED芯片 的两个电极之间进行放电,瞬间将在两个电极之间(阻值最小的地方,往往是电极周围)的导电层、发光层等芯片内部物质产生局部的高温,温度高达1400℃,这种极端高温下将两电极之间的材料层熔融,熔成一个小洞,从而造成各类漏电、死灯、变暗的异常现象。

　　不同企业、不同工艺、不同衬底材质、不同设计制造的LED芯片抗静电也很不相同,当前市场抗静电高度更是千差万别、鱼目混珠。

　　LED的抗静电高低与LED的封装无关、取决于芯片本身。有些企业采取加接齐纳二极管的来保护,这是在较早期采用的一个补救方法,现在,LED芯片工艺不断进步,这个方法逐渐显得成本高、可操作性减弱。

　　企业一旦遇到LED死灯漏电暗亮等事故,想到的往往是加强自己生产车间静电管理,如接地、铺设静电台垫、离子风机等等,但这并不是一个根治的办法,静电是无处不在,可以说是‘躲过了初一躲不了十五’。因为所用的LED抗静电指标就低,类似于一个健康缺陷的新生儿后天再医治都是难以根治的。

　　企业选用抗静电指标较高的LED(芯片),将能彻底解决你的静电带来LED的漏电、死灯等质量事故,因为抗静电高的LED,它能适应各种环境,例如LED抗静电在2000V以上,它一般都能承受我们普通的环境下的静电,达到3000V以上的LED更是能在不刻意加强静电管控的环境下,永放光芒。